Az úgymond 3D tranzisztorokból felépülő DRAM egy ideje már felmerülő téma, de a gyártók kerülték ennek az említését az útiterveiken, mivel nem könnyű kivitelezni. A Samsung ugyanakkor a MemCon 2024 alkalmával felhelyezte az eljárást a saját térképére, noha a szóban forgó gyártástechnológia még így is évekre van.

(forrás: SemiEngineering) [+]

A dél-koreai óriáscég az első, 10 nm-es osztály alatti node-on tervezi bevezetni a VCT, vagyis a vertical channel transistors technológiát, de ennek hátteréről nem nyilatkozott a vállalat, így nem tudni pontosan, hogy a vezetőhöz miképpen kapcsolódik a szilícium. A SemiEngineering által megosztott kép alapján a megoldás FinFET-hez hasonló lehet, ugyanakkor konkrét technikai háttéradatok nélkül ezt nem lehet egyértelműen kijelenteni.

A Samsung jelenleg 12 nm-es node-on gyárt DRAM-ot, és a terveik szerint még két 10 nm-es eljárásuk lesz, vagyis az ezek utáni opciónál kerülhet bevetésre a VCT struktúra, ami elvileg még ebben az évtizedben lesz, konkrétan a vége felé.